针对新型HfO2栅介质改进的四元件电路模型

• 作者: 刘红侠 蔡乃琼
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化铪 双频C-V法 四元件电路模型 频率色散
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 页码范围: 1051-1055
• 页数: 5页
• 分类号: TN406
• 字数: 2678字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2008.06.019

摘要

针对超薄HfO2栅介质MOS电容,提出改进的四元件小信号等效电路模型,修正了双频C-V法,增加了串联寄生电阻和串联电感两个参数.结合双频测量结果计算出修正的GV曲线,消除了高频时的频率色散现象,而且曲线更加接近理想C-V曲线.通过实验结果提取了寄生参数值并拟合出各元件值与MOS电容面积和反型层厚度的解析表达式.实验测量和理论计算表明该方法可提高通常C-V法的测量精度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	蔡乃琼	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	5	23	3.0	4.0