二氧化铪(HfO2)薄膜制备的研究进展

• 作者: 刘剑 博海洋 娄晶晶 宋亚玉 李锋娟 谈国强 贺中亮
• 来源期刊: 陶瓷
• 学科: 工学
• 关键词: HfO2 薄膜 研究进展
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 10-12
• 页数: 3页
• 分类号: TQ17
• 字数: 3023字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2872.2009.02.002

摘要

随着集成电路的迅速发展,高K值柵介质材料将成为下一代MOS器件最具有希望的候选材料,HfO2具有宽带隙和高介电常数而备受关注.本文简述了HfO2薄膜的制备方法及研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谈国强	陕西科技大学材料科学与工程学院	107	640	12.0	18.0
2	贺中亮	陕西科技大学材料科学与工程学院	16	67	6.0	7.0
3	刘剑	陕西科技大学材料科学与工程学院	16	55	5.0	7.0
4	娄晶晶		3	16	2.0	3.0
5	宋亚玉	陕西科技大学材料科学与工程学院	7	21	3.0	4.0
6	博海洋	陕西科技大学材料科学与工程学院	12	73	4.0	8.0
7	李锋娟		3	11	1.0	3.0