击穿18V的高压LDD PMOS器件的研制

• 作者: 杜寰 王晓慧 韩郑生
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 高压PMOS器件 轻掺杂漏 击穿电压 器件模拟
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 页码范围: 72-75
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1|TN453
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2007.07.021

摘要

从Synopsys TCAD的软件模拟出发,基于0.8μm标准CMOS工艺,通过重新设计高压N阱,以及优化器件LDD区域注入剂量,成功研制了栅长0.8μm击穿电压达到18V的LDD结构的高压PMOS器件,并实现了低高压工艺的兼容.研制的宽长比为18/0.8的PMOS器件截止电流在500pA以下,阈值电压为-1.5V,-10V栅压下饱和电流为-5.6mA,击穿电压为-19V.器件主要优点是关态漏电小,且器件尺寸不增加,不影响集成度,满足微显示像素驱动电路对高压器件的尺寸要求,另外与其他高压器件相比更容易实现,节约了成本.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	杜寰	中国科学院微电子研究所	41	108	5.0	6.0
3	王晓慧	中国科学院微电子研究所	13	34	4.0	4.0