锗硅外延工艺优化对28nm PMOS器件性能的改善

• 作者: 李帅 蔡小五 隋振超
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 锗硅外延 薄膜堆叠层 器件性能 PMOS器件
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 页码范围: 28-32
• 页数: 5页
• 分类号: TN482
• 语种: 中文

摘要

在28 nm CMOS技术节点,锗硅技术在器件沟道产生压应力可以提高PMOS电学性能.在选择性锗硅外延工艺基础上对锗含量进行细化阶梯分布,此阶梯式分布能避免因锗含量过高产生位错而进一步提高总体应力效果.通过研究发现,薄膜堆叠层的厚度和锗元素浓度是影响器件性能的重要因素,实验对堆叠层厚度和锗浓度同时改变比单独改变一种影响因素获得的器件性能更好,器件的饱和电流和漏电流的性能(Idsat-Ioff)可以提高7％,同时,器件阈值电压和饱和电流的性能(Vtsat-Idsat)、器件阈值电压和漏电流(Vtsat-Ioff)性能、漏致势垒降低(DIBL)效应也有相应的改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李帅	中国科学院大学微电子学院	30	196	8.0	13.0
2	蔡小五	中国科学院微电子研究所	15	38	4.0	5.0
3	隋振超		1	0	0.0	0.0