28nm工艺基于T_Coil结构的带ESD防护器件的高速IO设计

• 作者: 张博翰 朱小娜 梁斌 罗园 陈建军 黄俊
• 来源期刊: 计算机与数字工程
• 学科: 工学
• 关键词: 28nm工艺 高速IO设计 ESD T_Coil结构
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 专栏·微处理器技术与计算机工程工艺
• 页码范围: 2661-2666,2807
• 页数: 7页
• 分类号: TN4
• 字数: 3476字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-9722.2019.11.003

摘要

高速串行接口芯片是通信领域的核心芯片,也是云计算的核心互联芯片,高速串行接口芯片的IO在实现高速率的同时如何保证其军品ESD指标是关键难点之一.传统的设计方法,在保证ESD防护能力的前提下,高速IO设计往往无法达到预期的带宽.针对传统设计方法存在的缺点,采用基于T_Coil结构的带ESD防护器件的高速IO电路结构.然后,完成28nm工艺下基于T_Coil结构的带ESD防护器件的高速IO设计,采用反向二极管技术设计ESD防护器件,使用CadenceVirtuoso软件完成其电路设计和版图设计.最后,基于仿真工具给出了功能性能仿真结果和带寄生参数的仿真结果,并与传统技术进行对比,设计实现了16Gbps的速率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁斌	国防科技大学计算机学院	17	102	6.0	9.0
2	陈建军	国防科技大学计算机学院	15	50	6.0	6.0
3	张博翰	国防科技大学计算机学院	1	0	0.0	0.0
4	罗园	国防科技大学计算机学院	1	0	0.0	0.0
5	黄俊	国防科技大学计算机学院	2	4	1.0	2.0
6	朱小娜	国防科技大学计算机学院	1	0	0.0	0.0