基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
提出一种新颖的片上静电泄放(ESD)防护器件,该器件由N阱/P阱二极管、基于high-K金属栅CMOS工艺形成的二极管、寄生的晶闸管(SCR)和内嵌的电源钳位电路等几部分构成,具有多条ESD通路,能实现对单个IO管脚的PS-Mode、NS-Mode、PD-Mode、ND-Mode及DS-Mode共5种ESD应力模式的保护.本文分析了high-K工艺下各种SCR模块的结构和工作机制,通过合理配置这些SCR,该器件的一些关键ESD参数如触发电压、保持电压等能根据具体需要而调整,以满足片上系统(SoC)的多电源域的应用情况,利用传输线脉冲(TLP)、快速TLP和C-V等方式全方位验证了该器件的性能.结果 表明,紧凑的结构、较少的互连线、较低的寄生电容、快速的响应能力使设计的器件适合高速IO接口电路的ESD防护.
推荐文章
高速小回滞双向SCR的ESD防护器件设计
静电放电
双向可控硅
触发电压
开启速度
漏电流
模块化UPS电源设备的配置
UPS电源
开关
电池
线缆
配置
流量域概念下的多校区模块化组网实践
流量域
模块化
功能子网
网络管理
MOS器件的ESD失效
金属氧化物半导体器件
静电放电模型
静电防护
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 多电源域高速IO的片上模块化ESD防护器件
来源期刊 河南理工大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 ESD防护 模块化 单片集成 多电源域 高速IO
年,卷(期) 2019,(3) 所属期刊栏目 机电与计算机工程
研究方向 页码范围 117-122
页数 6页 分类号 TN453
字数 3333字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孟丽娅 重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室 34 172 6.0 12.0
2 李婷 11 16 3.0 4.0
3 孙康明 6 9 2.0 3.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (7)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2009(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2012(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2014(3)
  • 参考文献(3)
  • 二级参考文献(0)
2017(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2019(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
ESD防护
模块化
单片集成
多电源域
高速IO
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
河南理工大学学报(自然科学版)
双月刊
1673-9787
41-1384/N
16开
河南省焦作市世纪大道2001号
3891
1981
chi
出版文献量(篇)
3451
总下载数(次)
5
总被引数(次)
20072
  • 期刊分类
  • 期刊(年)
  • 期刊(期)
  • 期刊推荐
论文1v1指导