基于Innovus工具的28nm DDR PHY物理设计方法

• 作者: 孟少鹏 张杰 王秋实
• 来源期刊: 雷达科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: DDRPHY 物理设计 Innovus 时间预算 延时优化 路径对齐
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 页码范围: 457-460
• 页数: 4页
• 分类号: TN47
• 字数: 2265字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-2337.2020.04.018

摘要

随着CPU、DSP等器件的处理速度迅速提高,对内存的速度和各方面的需求迅速增加.早期的SDRAM工作频率发展到133 MHz已到极限,成为系统性能的瓶颈.DDR(双倍数据率)技术随之应运而生,目前DDR4的性能已经可以达到3200 Mbps级别.DDR PHY作为存储控制器和DRAM颗粒物理接口之间的通用接口,是制约DDR读写速度提升的关键.本文以TSMC 28 nm工艺的DDR PHY设计为例,结合Innovus工具,在描述流程之外,重点研究解决了后端物理设计中时序路径的时间预算、延时优化、路径对齐等问题.最后该DDR PHY在一款工业级DSP中成功集成,并且板级测试结果表明其物理设计结果达到指标要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张杰	中国电子科技集团公司第三十八研究所	38	182	7.0	12.0
2	王秋实	中国电子科技集团公司第三十八研究所	4	3	1.0	1.0
3	孟少鹏	中国电子科技集团公司第三十八研究所	6	8	2.0	2.0