原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
在40 nm工艺下完成了一款高性能DSP芯片中DDR3存储接口的物理设计,提出并实现了DDR3存储接口的布局规划、时钟树和时序收敛方法.在布局规划阶段,综合考虑了面积、时序等因素,确定了DDR3的布图形状大小以及内部宏单元、IO单元的规划;在时序收敛阶段,分析了DDR3的时钟和路径结构,并针对关键路径进行精细的手工规划,提出并实现了自动化skew检查脚本框架,成功将各个PHY域内总线的偏差控制在40 ps以内.实验结果表明,此设计达到了频率533 MHz、最大数据率2 133 Mb/s的目标.
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文献信息
篇名 2133Mb/s DDR3存储接口的物理设计
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 DDR3 物理设计 时钟树 布局规划
年,卷(期) 2017,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 79-83
页数 5页 分类号 TN47
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郭阳 国防科技大学计算机学院 50 449 9.0 20.0
2 李振涛 国防科技大学计算机学院 9 20 3.0 4.0
3 裴秉玺 国防科技大学计算机学院 1 3 1.0 1.0
4 黄东昌 国防科技大学计算机学院 1 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
DDR3
物理设计
时钟树
布局规划
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
总被引数(次)
59060
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