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2133Mb/s DDR3存储接口的物理设计
2133Mb/s DDR3存储接口的物理设计
作者:
李振涛
裴秉玺
郭阳
黄东昌
原文服务方:
微电子学与计算机
DDR3
物理设计
时钟树
布局规划
摘要:
在40 nm工艺下完成了一款高性能DSP芯片中DDR3存储接口的物理设计,提出并实现了DDR3存储接口的布局规划、时钟树和时序收敛方法.在布局规划阶段,综合考虑了面积、时序等因素,确定了DDR3的布图形状大小以及内部宏单元、IO单元的规划;在时序收敛阶段,分析了DDR3的时钟和路径结构,并针对关键路径进行精细的手工规划,提出并实现了自动化skew检查脚本框架,成功将各个PHY域内总线的偏差控制在40 ps以内.实验结果表明,此设计达到了频率533 MHz、最大数据率2 133 Mb/s的目标.
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文献信息
篇名
2133Mb/s DDR3存储接口的物理设计
来源期刊
微电子学与计算机
学科
关键词
DDR3
物理设计
时钟树
布局规划
年,卷(期)
2017,(7)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
79-83
页数
5页
分类号
TN47
字数
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
郭阳
国防科技大学计算机学院
50
449
9.0
20.0
2
李振涛
国防科技大学计算机学院
9
20
3.0
4.0
3
裴秉玺
国防科技大学计算机学院
1
3
1.0
1.0
4
黄东昌
国防科技大学计算机学院
1
3
1.0
1.0
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2019(2)
引证文献(1)
二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
DDR3
物理设计
时钟树
布局规划
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
主办单位:
中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-7180
CN:
61-1123/TN
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1972-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
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