原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
基于65 nm工艺,完成了高性能海量处理器芯片中的高速DDR3存储控制器的物理设计.重点介绍了DDR3存储控制器物理设计中的布图布局设计和时钟树设计,并针对EDA工具自动生成时钟树导致的DDR3PHY域内总线时钟偏差较大问题,提出并实现精确手动干预关键时钟路径上的时钟树设计优化方法,并进一步采用寄存器逻辑优化方式,成功将DDR3 PHY域内总线时钟偏差控制在30 ps内,满足设计要求的性能.
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文献信息
篇名 高速DDR3存储控制器的时钟偏差控制和优化
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 DDR3存储控制器 布图布局 时钟树 手动干预 时钟偏差
年,卷(期) 2018,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 103-106
页数 4页 分类号 TN47
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 薛智民 4 2 1.0 1.0
2 赵亮 2 9 1.0 2.0
3 胡军涛 1 1 1.0 1.0
4 龙娟 1 1 1.0 1.0
5 石文侠 2 6 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
DDR3存储控制器
布图布局
时钟树
手动干预
时钟偏差
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
总被引数(次)
59060
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