InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究

• 作者: 姚科明 李彬 柴松刚 王玺 迟殿鑫 陈伟 高新江 黄晓峰
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaAs/InP 单光子雪崩光电二极管 顶层 掺杂浓度
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 页码范围: 420-424
• 页数: 5页
• 分类号: O47
• 字数: 2258字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.04.008

摘要

通过理论计算和对比实验研究了InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管中InP顶层掺杂浓度对于器件性能的影响.理论结果显示,InP顶层的掺杂浓度越低越有利于抑制边缘击穿,降低隧穿暗载流子产生速率,提高雪崩击穿几率,实验结果显示,顶层非故意掺杂的器件在223 K下获得了20％的单光子探测效率和1 kHz的暗计数率,其单光子探测效率比顶层掺杂浓度为5×1015/cm3的器件高3％～8％,而暗计数率低一个量级.结果表明,降低InP顶层的掺杂浓度有利于提高器件性能.