具有抑制边缘击穿的层叠结结构的平面型InGaAs/InP盖革雪崩光电二极管的设计

• 作者: 吴孟 曹延名 杨富华 林峰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 盖革APD 边缘击穿 层叠结 击穿电压
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1686-1691
• 页数: 6页
• 分类号: TN312+.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.09.010

摘要

通过有限元分析设计了具有抑制边缘击穿的层叠边缘结结构的平面型InGaAs/InP盖革雪崩光电二极管.通过仔细地控制中央区域结的深度,光电二极管的击穿电压降至54.3V;同时通过调整InP倍增层的掺杂浓度和厚度,沿器件中轴的电场分布也得到了控制.在有源区的边缘采用层叠pn结结构有效地抑制了过早边缘击穿现象.仿真模拟显示四层层叠结构是边缘击穿抑制效果和制造工艺复杂度的一个好的折衷方案,该结构中峰值电场强度为5.2×105kV/cm,空穴离化积分最大值为1.201.本文提供了一种设计高性能的InGaAs/InP光子汁数雪崩光电二极管的有效方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林峰	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	42	325	8.0	17.0
2	杨富华	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	49	227	9.0	14.0
3	曹延名	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	2	11	2.0	2.0
4	吴孟	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	3	12	2.0	3.0