硅衬底在片螺旋电感建模及其参数提取

• 作者: 孙玲玲 文进才
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 在片螺旋电感 等效电路模型 射频集成电路 趋肤效应 涡流效应
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 14-17
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9146.2005.06.004

摘要

对重掺杂的硅衬底来说,衬底涡流效应已变得较为明显,如何精确的表征这一方面的影响,对于在标准CMOS工艺上实现的在片螺旋电感建模来说,已显得至关重要.该文给出了一种新的采用Transformer Loop来精确表征涡流效应导致的衬底损耗的在片螺旋电感模型,同时采用阶梯4元件结构和一功率电阻Rp来表征电感的趋肤效应和邻近效应,实现了级联电阻的非频变性,可以满足在SPICE等时域仿真器中大小信号及瞬态分析的需要.新的模型同样也适合于对多层电感建模,通过对实际在片电感的测试、验证,给出的模型在较宽的频段内能够精确地吻合测试数据.