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摘要:
针对高损耗硅衬底,源自部分元等效电路方法考虑了趋肤效应和邻近效应对螺旋电感中串联电感Ls、串联电阻Rs频率特性的制约,并基于全耦合变压器模型计入了复杂的衬底涡流损耗,从而建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.通过与全波分析方法对比,验证了在20GHz范围内由该模型导出的等效电感Leff、等效电阻Reff和Q值误差仅在7%以内.该模型可望用于硅基射频集成电路中电感进一步的理论探讨和优化设计.
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品质因素
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文献信息
篇名 宽带硅衬底RF片上螺旋电感物理模型
来源期刊 电子学报 学科 工学
关键词 片上螺旋电感 物理模型 趋肤效应 邻近效应 衬底涡流损耗
年,卷(期) 2006,(8) 所属期刊栏目 科研通信
研究方向 页码范围 1517-1521
页数 5页 分类号 TN454
字数 3314字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0372-2112.2006.08.032
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李立萍 57 562 14.0 21.0
2 杨谟华 58 278 8.0 11.0
3 王向展 32 142 7.0 9.0
4 尤焕成 5 32 4.0 5.0
5 郑薇 4 22 3.0 4.0
6 任军 4 22 3.0 4.0
7 杨帆 36 128 7.0 9.0
传播情况
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2014(2)
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研究主题发展历程
节点文献
片上螺旋电感
物理模型
趋肤效应
邻近效应
衬底涡流损耗
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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