厚表层Si柔性绝缘衬底上SiC薄膜的外延生长

• 作者: 孙国胜 曾一平 王晓峰 王雷 赵万顺 黄风义
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI SiC 大失配 残存应变 空洞
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1652-1657
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 4883字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.020

摘要

利用LPCVD方法,在厚表层Si(SOL≈0.5μm)柔性绝缘衬底(SOI)(001)上外延生长出了可与硅衬底上外延晶体质量相比拟的SiC/SOI,表明SOI是一种很有潜力的柔性衬底. Raman 光谱结果表明SiC/SOI外延层比SiC/Si外延层有更大的残存应力,对此从理论上进行了解释.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和喇曼散射光谱(RAM)技术研究了外延材料的晶体结构、界面性质和应变情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓峰	中国科学院半导体研究所新材料实验室	57	953	14.0	30.0
2	孙国胜	中国科学院半导体研究所新材料实验室	28	244	9.0	15.0
3	王雷	中国科学院半导体研究所新材料实验室	192	2018	26.0	36.0
4	赵万顺	中国科学院半导体研究所新材料实验室	17	77	5.0	8.0
5	曾一平	中国科学院半导体研究所新材料实验室	85	439	11.0	16.0
6	黄风义	中国科学院半导体研究所新材料实验室	2	3	1.0	1.0