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摘要:
根据空基相控阵雷达的工作环境,对4H-SiC材料及SiC功率器件(SiC MESFET)的特点进行了分析.与GaAs器件相比,这种新型器件在空基相控阵雷达领域有广泛的应用前景.同时建立了用于器件CAD技术的SiC MESFET改进型非线性大信号模型,这种基于实验测量的模型通过SPICE模拟器对器件的功率特性进行了分析,与实验结果符合较好.
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4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型
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非线性大信号模型
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4H-SiC MESFET器件工艺
4H-SiC
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微波
宽禁带半导体
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 应用于空基相控阵雷达的新型功率器件--SIC射频功率MESFET
来源期刊 空军工程大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 空基相控阵雷达 SiC MESFET 射频功率器件 非线性大信号模型
年,卷(期) 2001,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 69-72
页数 4页 分类号 TN958.92
字数 3322字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1009-3516.2001.03.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张义门 129 835 15.0 21.0
2 杨林安 空军工程大学电讯工程学院 2 2 1.0 1.0
3 于春利 空军工程大学工程学院 2 2 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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2012(1)
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研究主题发展历程
节点文献
空基相控阵雷达
SiC MESFET
射频功率器件
非线性大信号模型
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
空军工程大学学报(自然科学版)
双月刊
1009-3516
61-1338/N
大16开
西安市空军工程大学
52-247
2000
chi
出版文献量(篇)
2810
总下载数(次)
5
总被引数(次)
15414
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