旁栅效应对GaAs MESFET数字IC设计的影响

• 作者: 夏冠群 张有涛 李拂晓 杨乃彬 高建峰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 旁栅效应 GaAs MESFET 阈值电压 缺陷陷阱 集成度
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 821-825
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3313字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.037

摘要

研究了不同旁栅电极结构、不同旁栅电极取向对旁栅阈值特性的影响,并研究了旁栅阈值的光敏特性.结果表明:半绝缘衬底中的电子和空穴陷阱是旁栅效应及其光敏特性的主要原因,Ti/Au/Ti布线金属做旁栅电极具有最好的旁栅阈值特性,Au/Ge/Ni/Au欧姆接触和Ti/Pt/Au/Ti栅金属的旁栅阈值特性相似,三者都有明显的光敏特性.上述结果为GaAs MESFET数字集成电路版图设计规则的制定提供了可靠依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高建峰		23	98	7.0	9.0
2	夏冠群	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	61	307	9.0	16.0
3	李拂晓		60	352	10.0	14.0
4	杨乃彬		18	95	6.0	8.0
5	张有涛	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	19	40	4.0	5.0