GaAs MESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系

• 作者: 丁勇 夏冠群 易茂祥 毛友德 赵建龙 赵福川
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 旁栅效应 沟道电流 迟滞现象 EL2深能级
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 885-887
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 字数: 1932字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.07.014

摘要

采用平面选择注入隔离工艺制作MESFET及旁栅电极,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对旁栅效应迟滞现象的影响.发现当延迟时间超过2s时,迟滞现象基本消失,旁栅效应达到稳态,而且准静态地改变旁栅电压,沟道电流的变化会达到一稳定值,与过程无关,于是可以避免迟滞现象.并从理论上解释了所发现的现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵建龙	中国科学院上海冶金研究所	140	1166	18.0	26.0
2	夏冠群	中国科学院上海冶金研究所	61	307	9.0	16.0
3	易茂祥	合肥工业大学应用物理系	109	559	12.0	19.0
4	丁勇	合肥工业大学应用物理系	64	1069	19.0	31.0
5	毛友德	合肥工业大学应用物理系	13	29	3.0	5.0
6	赵福川	中国科学院上海冶金研究所	5	14	2.0	3.0