多栅GaAs MESFET开关的结构设计

• 作者: 郝西萍 陈新宇 陈继义
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多栅 开关 金属半导体场效应晶体管 砷化镓 栅栅间距
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 450-453
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2268字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.04.018

摘要

论述了多栅开关的结构和特点.针对多栅开关器件结构设计中的参数栅栅间距的选取作了分析,确定当栅栅间距等于源漏间距对栅数的平均值时,开关性能最优,并在实验中得到验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈继义		18	66	4.0	6.0
2	陈新宇		26	101	7.0	8.0
3	郝西萍		9	28	3.0	5.0