片上栅氧经时击穿失效监测电路与方法

• 作者: 庄奕琪 李小明 辛维平
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 栅氧经时击穿 实时 可靠性 预报 寿命
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 2188-2193
• 页数: 6页
• 分类号: TN495
• 字数: 4761字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2012.11.008

摘要

栅氧经时击穿(Time Dependent Dielectric Breakdown(TDDB))等失效机理引起的失效是电路失效的主要原因之一,而这些电路的失效可能会造成灾难性的后果.本文提出了一种片上、能对栅氧经时击穿引起的失效进行实时预报的电路及方法.当栅氧经时击穿引发电路或系统失效时,本监测电路会发出报警信号.本监测电路采用标准的CMOS工艺,只占用很小的芯片面积,同时它只与宿主电路共用电源信号,从而不会给宿主电路带来任何干扰.本监测电路采用0.18μm CMOS工艺实现了投片验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子学院	183	1168	15.0	22.0
2	李小明	西安电子科技大学微电子学院	19	123	6.0	10.0
3	辛维平	西安电子科技大学微电子学院	3	10	2.0	3.0