0.18μm CMOS工艺栅极氧化膜可靠性的衬底和工艺依存性

• 作者: 万星拱 赵毅
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄氧 可靠性 击穿电压 击穿电量
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3003-3006
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 3065字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.06.059

摘要

用斜坡电压法(Voltage Ramp,V-ramp)评价了0.18μm双栅极CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to BreakdoWN,Qbd)和击穿电压(Voltage to Breakdown,Vbd).研究结果表明,低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小,而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大,击穿电压测试值也发现与击穿电量相似的现象.其原因可以归结为由于光刻工艺对多晶硅/厚氧界面的损伤.该损伤使多晶硅/厚氧界面产生大量的界面态.从而造成了薄氧与厚氧n衬底和p衬底MOS电容击穿电量差的不同.从Weibull分布来看,击穿电压Weibull分布斜率比击穿电量.击穿电压的分布非常均匀,而且所有样品的失效模式都为本征失效,没有看到"尾巴",说明工艺非常稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	万星拱		7	18	3.0	3.0