一种基于0.5μm CMOS工艺圆片级可靠性评估方法*

• 作者: 涂启志 赵文清 马敏辉
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 圆片级可靠性 金属电迁移 热载流子
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 页码范围: 35-39
• 页数: 5页
• 分类号: TN306
• 字数: 3607字
• 语种: 中文

摘要

论文提出了0.5μm CMOS工艺圆片级可靠性（WLR）评估的方法，为工艺、电路可靠性提高和及时在线控制开拓了新思路。论文针对0.5μm工艺中金属电迁移以及器件热载流子等失效项，分别给出了相关内容的工艺物理机理、测试结构、测试方法和结果。测试得出单一电迁移失效、热载流子失效寿命可以达到1×109数量级（几十年），初步实现了工艺可靠性的在线监控。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马敏辉		3	2	1.0	1.0
2	涂启志		10	10	2.0	2.0
3	赵文清		1	0	0.0	0.0