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电子产品可靠性与环境试验期刊
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VLSI圆片级可靠性技术
VLSI圆片级可靠性技术
作者:
恩云飞
章晓文
原文服务方:
电子产品可靠性与环境试验
圆片级可靠性技术
金属化完整性
氧化层完整性
连接完整性
热载流子注入
摘要:
介绍了圆片级可靠性技术产生的背景,对其特点和作用作了详细的论述.测试内容上着重介绍了金属化完整性测试、氧化层完整性测试、连接完整性测试和热载流子注入测试,根据测试数据,对1.0μm工艺线单一失效机理的可靠性进行了评价,对不同测试结构的作用进行了说明.
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内容分析
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文献信息
篇名
VLSI圆片级可靠性技术
来源期刊
电子产品可靠性与环境试验
学科
关键词
圆片级可靠性技术
金属化完整性
氧化层完整性
连接完整性
热载流子注入
年,卷(期)
2002,(3)
所属期刊栏目
测试技术
研究方向
页码范围
44-49
页数
6页
分类号
TN407
字数
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1672-5468.2002.03.011
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
恩云飞
37
304
10.0
14.0
2
章晓文
16
78
5.0
7.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
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版权信息
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引文网络
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2010(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
圆片级可靠性技术
金属化完整性
氧化层完整性
连接完整性
热载流子注入
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子产品可靠性与环境试验
主办单位:
工业和信息化部电子第五研究所(中国电子产品可靠性与环境试验研究所)
出版周期:
双月刊
ISSN:
1672-5468
CN:
44-1412/TN
开本:
大16开
出版地:
广州市增城区朱村街朱村大道西78号
邮发代号:
创刊时间:
1962-01-01
语种:
中文
出版文献量(篇)
2803
总下载数(次)
0
总被引数(次)
9369
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