现代半导体研制的内建可靠性方法

• 作者: 张卿彦 曾繁中 王伟 简维廷 蔡炳初
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 内建可靠性 测试式可靠性 半导体 圆片级可靠性
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 国外可靠性与环境试验技术
• 页码范围: 13-20
• 页数: 8页
• 分类号: TN306
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2003.06.003

摘要

为满足半导体技术的高速发展与进步的要求以及客户对产品的性能、服务、运送、质量及可靠性等方面的期望,我们有必要尽早地把有缺陷的产品从生产线上鉴别出来,并采用更为有效的方法来开发、验证及监控工艺过程.传统的测试式可靠性方法,主要在生产线末端通过老化、品质管理、可靠性测试和失效分析等手段来鉴别或评估可靠性失效率,由于其测试周期长,已不再适用于现代半导体工业.内建可靠性方法正好相反,它具有迅速反馈、早期预警和循环控制等优点.对半导体制造业来说,内建可靠性方法由两大部分组成:圆片级可靠性系统和内建可靠性数据库.我们已经成功地运用此方法完成了从0.35～0.13μm技术的产品可靠性认证和工艺监控.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	简维廷		19	34	3.0	5.0
2	曾繁中	交通大学微纳米科学技术研究院	1	4	1.0	1.0
6	王伟		1	4	1.0	1.0
7	张卿彦		1	4	1.0	1.0
8	蔡炳初	交通大学微纳米科学技术研究院	1	4	1.0	1.0