0.18μm CMOS工艺下的新型ESD保护电路设计

• 作者: 刘红侠 刘青山
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 保护电路 反馈 动态传输
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 页码范围: 867-870,926
• 页数: 5页
• 分类号: TN431.1
• 字数: 3416字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2009.05.020

摘要

为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路.该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件,同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速度,使得保护电路能够及时关闭,避免箝位器件栅极电流保持过长时间,保护了箝位器件的栅极.此外,该电路采用0.18μm CMOS工艺下的普通器件,节省了电路的成本.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	刘青山	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	8	1.0	1.0