利用TCAD方法优化设计金属栅CMOS工艺及电路

• 作者: 俞军军 孙伟锋 李艳军 苏巍 赵野
• 来源期刊: 东南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 计算机辅助工艺设计 工艺模拟 金属栅CMOS工艺
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 512-516
• 页数: 5页
• 分类号: TN710|TN432
• 字数: 2296字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-0505.2006.04.004

摘要

为了降低集成电路制造工艺的成本,用计算机辅助工艺设计(TCAD)的方法开发了金属铝栅CMOS工艺.首先利用3 μm金属铝栅工艺对模拟软件TSUPREM-4和器件模拟软件MEDICI进行了校准,再对金属铝栅1.5 μm短沟道 CMOS工艺进行器件结构、工艺和电气性能等参数的模拟,以最简约工艺在现有工艺线上成功流水了1.5 μm铝栅CMOS.实际测试阈值电压为±0.6 V,击穿达到11 V,各项指标参数的模拟与实际测试误差在5%以内,并将工艺开发和电路设计结合起来,用电路的性能验证了工艺.利用TCAD方法已成为集成电路和分立器件设计和制造的重要方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
2	俞军军	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	2	15	1.0	2.0
3	赵野	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	5	9	2.0	2.0