3 GHz CMOS低噪声放大器的优化设计

• 作者: 尚林林 曾云 杨红官 郭友洪
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 低噪声放大器 噪声系数 线性度 CMOS工艺
• 年，卷（期）: 2008,（14）
• 所属期刊栏目: 电子设计
• 页码范围: 285-287
• 页数: 3页
• 分类号: TN773
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2008.14.116

摘要

基于0.18 μm CMOS工艺,采用共源共栅源极负反馈结构,设计了一种3 GHz低噪声放大器电路.从阻抗匹配及噪声优化的角度分析了电路的性能,提出了相应的优化设计方法.仿真结果表明,该放大器具有良好的性能指标,功率增益为23.4dB,反向传输系数为-25.9 dB,噪声系数为1.1 dB,1dB压缩点为-13.05 dBm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾云		102	899	13.0	27.0
2	杨红官		28	95	6.0	7.0
3	尚林林		3	13	2.0	3.0
4	郭友洪		3	13	2.0	3.0