高增益低功耗CMOS低噪声放大器的设计

• 作者: 张红南 蒋超 颜永红 黄雅攸
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 低噪声放大器 CMOS 低功耗
• 年，卷（期）: 2008,（29）
• 所属期刊栏目: 电子设计
• 页码范围: 284-285,292
• 页数: 3页
• 分类号: TN722.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2008.29.115

摘要

本文基于TSMC 0.35μm CMOS工艺,设计了一种工作于2.4 GHz频率下的、高增益、低功耗的低噪声放大器.并在ADS的平台下进行了参数的优化与仿真.其仿真结果表明,该低噪声放大器的最大增益约为16 dB,并且波动范围小于0.3dB;噪声系数约为0.8 dB,IIP3为+1.6 dBm:在1.5 V电源电压供电条件下,电路直流功耗为8 mW.因此,该电路实现了高增益、低功耗的功能.满足实际应用的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	颜永红	湖南大学物理与微电子科学学院	45	423	10.0	20.0
2	张红南	湖南大学物理与微电子科学学院	25	100	5.0	8.0
3	黄雅攸	湖南大学物理与微电子科学学院	6	13	3.0	3.0
4	蒋超	湖南大学物理与微电子科学学院	2	5	1.0	2.0