用于CMOS工艺的双功函数Ni全硅化物金属栅

• 作者: 周华杰 徐秋霞
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属栅 全硅化 硅化物
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1532-1539
• 页数: 8页
• 分类号: TN386
• 字数: 1626字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.10.008

摘要

研究了Ni全硅化物金属栅功函数调整技术.研究表明,通过在多晶硅硅化前向多晶硅栅内注入杂质能够有效地调整Ni全硅化物金属栅的栅功函数.通过注入p型或n型杂质,如BF2,As或P,能够将Ni全硅化物金属栅的功函数调高或调低,以分别满足pMOS管和nMOS管的要求.但是注入大剂量的As杂质会导致分层现象和EOT变大,因此As不适合用来调节Ni全硅化物金属栅的栅功函数.由于FUSI工艺会导致全硅化金属栅电容EOT减小,全硅化金属栅电容的栅极泄漏电流大于多晶硅栅电容.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐秋霞	中国科学院微电子研究所	37	108	6.0	8.0
2	周华杰	中国科学院微电子研究所	6	11	2.0	2.0