Ni全硅化金属栅功函数调节技术研究

• 作者: 周华杰 徐秋霞
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属栅电极 功函数 硅化物
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 715-721
• 分类号: TN383.1
• 语种: 中文

摘要

通过制备栅内不同掺杂条件的Ni全硅化金属栅电容并分析其C-V和Vfb-EOT特性发现,Ga和Yb较常规的杂质而言具有更好的栅功函数调节能力,能够分别将Ni全硅化金属栅电极功函数调节到价带顶和导带底附近,满足高性能体硅平面互补金属氧化物半导体（CMOS）器件对栅电极功函数的要求.同时根据电偶极子（Dipole）理论分析了Ga和Yb具有较强栅功函数调节能力的原因.另外,研究发现栅内掺入Ga或Yb杂质后的Ni全硅化金属栅电容的电容值变大、栅极泄漏电流反而变小,通过对C-V和栅极泄漏电流特性进行分析,对这一现象进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐秋霞	中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	37	108	6.0	8.0
2	周华杰	中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	6	11	2.0	2.0