0.13um工艺中钴硅化物的缺陷分析与改善

• 作者: 姜宁 姜玉稀 程秀兰
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 0.13um 半导体 自对准金属硅化物 金属钴硅化物 选择性二氧化硅 整合
• 年，卷（期）: 2010,（23）
• 页码范围: 151-152,208
• 分类号: TN405
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-6835.2010.23.063

摘要

在半导体器件的制造过程中,尤其是在0.18um及其以下的制造工艺中,自对准金属硅化物(Salicid,Self-Aligned Silicide)工艺是一项极其关键,同时也涉及到复杂工艺整舍的工艺技术.它直接决定了所制造的半导体器件能否达到EDR(Electrical Design Rule)所规定的电学性能,同时还决定了半导体产品中几千万个器件的均一性和可靠性.本文主要通过分析半导体WAT(Wafer Acceptance Test)测试中P型器件饱和电流Idsat不稳定的现象,借助FA(Failure Analysis)手段,提出了造成这一现象的失效模型,最后通过合理的实验设计和分析,从工艺整合的角度,提出了在0.13um逻辑产品制造工艺中,形成均一稳定的低电阻金属钴硅化物(Co-Salicide)的具体解决方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程秀兰	上海交通大学电子学院	48	205	5.0	12.0
2	姜玉稀	上海大学微电子中心	8	32	3.0	5.0