短沟道铝栅CMOS器件及工艺研究

• 作者: 易扬波 赵少峰
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 短沟道 工艺模拟 铝栅CMOS工艺
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 373-375
• 页数: 3页
• 分类号: TN710|TN432
• 字数: 1907字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.02.007

摘要

利用计算机模拟软件Tsuprem4、Medici以及流片实验开发了短沟道铝栅CM0S器件及其工艺流程.对铝栅1.5μm短沟道CMOS工艺进行器件结构、工艺和电气性能等参数的进行了大量的模拟和流片实验,最后在提出的工艺平台上成功流水了1.5μm铝栅CMOS流片测试的阈值电压为士O.6V,击穿达到11V,各项指标参数的模拟与实际测试误差在5%以内,器件的各项指标达到了量产的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	易扬波	东南大学集成电路学院	11	64	5.0	7.0
2	赵少峰	东南大学集成电路学院	1	6	1.0	1.0