具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件

• 作者: 刘明 刘海华 徐秋霞 李海欧 段晓峰 王大海 钱鹤 陈宝钦 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变硅沟道 压应力 Ge预非晶化注入 等效氧化层厚度 栅长 CMOS
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 283-290
• 页数: 8页
• 分类号: TN386
• 字数: 6230字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.071

摘要

深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所	207	1983	20.0	38.0
2	徐秋霞	中国科学院微电子研究所	37	108	6.0	8.0
3	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
4	陈宝钦	中国科学院微电子研究所	50	361	11.0	16.0
5	段晓峰	中国科学院物理研究所	26	221	5.0	14.0
6	钱鹤	中国科学院微电子研究所	32	164	7.0	12.0
7	刘海华	中国科学院物理研究所	1	1	1.0	1.0
8	王大海	中国科学院微电子研究所	4	17	2.0	4.0