电子束实现210nm栅长115GHz GaAs基mHEMT器件

• 作者: 刘海涛 唐海林 安宁 曾建平 李倩 李志强 梁毅
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: T型栅 应变高电子迁移率晶体管 电流增益截至频率 最高振荡频率
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 太赫兹科学技术
• 页码范围: 17-20,37
• 页数: 5页
• 分类号: TN322+.6
• 字数: 3350字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201801.0017

摘要

为了获得T型栅应变高电子迁移率晶体管(mHEMT)器件,利用电子束(Electron beam, E-beam)光刻技术制备了210 nm栅长,减小mHEMT器件栅极的寄生电容和寄生电阻.采用PMMA A4/PMMA-MMA/PMMA A2三层胶电子束直写的方法定义了210 nm栅长T型栅极.InAlAs/ InGaAs异质结GaAs-mHEMT器件的直流特性和高频特性分别通过Agilent B1500半导体参数分析仪和Agilent 360 B矢量网络分析仪测试.直流测试结果显示,210 nm栅长InAlAs/InGaAs沟道GaAs-mHEMT单指器件的最大有效输出跨导(gm:max)为195 mS/mm,器件最大沟道电流160 mA/mm.射频测试结果显示,电流增益截至频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为46 GHz和115 GHz.同时欧姆电极特性和栅极漏电特性也被表征,其中栅极最大饱和漏电流密度小于1×10-8A/μm.