130 nm加固SOI工艺的抗辐射控制芯片设计

• 作者: 余超 刘海静 常永伟 王正 董业民
• 来源期刊: 国防科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 抗辐射 绝缘体上硅 控制芯片
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 计算机科学与技术
• 页码范围: 17-21
• 页数: 5页
• 分类号: TN492
• 字数: 3940字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11887/j.cn.202003003

摘要

针对航天电子系统控制模块对集成电路的抗辐射需求,在130 nm部分耗尽绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺平台上设计了一款基于比例、积分、微分控制算法的控制芯片,并分别从晶圆材料、制备工艺、版图设计的角度对芯片进行了总剂量辐射加固.流片测试结果表明,芯片的调节精度达到了5×10-12,与进口抗辐射现场可编程门阵列水平相当;在长时间频率稳定度方面,芯片优于国外抗辐射现场可编程门阵列.对芯片进行的模拟辐照试验表明,芯片在300 krad(Si)的总剂量辐照条件下依然可以正常工作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王正	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	26	102	6.0	9.0
2	余超	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	20	80	5.0	7.0
6	刘海静	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	3	6	1.0	2.0
7	常永伟	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	3	2	1.0	1.0