辐射加固SOI工艺FPGA的设计与验证

• 作者: 于芳 刘忠立 吴利华 赵岩 韩小炜
• 来源期刊: 信息与电子工程
• 学科: 工学
• 关键词: 辐射加固 现场可编程逻辑门阵列 逻辑单元 部分配置 部分耗尽SOI
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 微光机电与物理电子技术
• 页码范围: 627-632
• 页数: 6页
• 分类号: TN46
• 字数: 2427字
• 语种: 中文

摘要

进行了一款辐射加固SRAM基VS1000 FPGA的设计与验证.该芯片包含196个逻辑模块、56个IO模块、若干布线通道模块及编程电路模块等.每个逻辑模块由2个基于多模式4输入查找表的逻辑单元组成,相对传统的4输入查找表,其逻辑密度可以提高12％；采用编程点直接寻址的编程电路,为FPGA提供了灵活的部分配置功能；通过对编程点的完全体接触提高了全芯片的抗辐射能力.VS1000 FPGA基于中电集团第58所0.5 μm部分耗尽SOI工艺进行辐射加固设计并流片,样片的辐照试验表明,其抗总剂量水平达到1.0×105 rad(Si),瞬态剂量率水平超过1.5×1011rad (Si)/s,抗中子注量水平超过1.0×1014 n/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵岩	中国科学院微电子研究所	66	1012	19.0	29.0
2	刘忠立	中国科学院微电子研究所	77	412	12.0	14.0
3	于芳	中国科学院微电子研究所	28	112	6.0	9.0
4	吴利华	中国科学院微电子研究所	2	1	1.0	1.0
5	韩小炜	中国科学院微电子研究所	1	1	1.0	1.0