国产SOI 1750A微处理器抗辐射效应模拟试验

• 作者: 孙越强 王晶 王月
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 微处理器 SOI 单粒子效应 HI-13串列加速器 加速器模拟试验
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 电子设计
• 页码范围: 268-270
• 页数: 3页
• 分类号: V416|V520.6|V423.6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2008.02.108

摘要

文章介绍了对国内首次研制成功的航天用SOI工艺16位微处理器1750A进行抗辐射效应地面模拟试验的情况,分析了试验结果,初步预估了该器件的抗辐射效应能力,为该器件在空间环境中的应用提供了依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晶	中国科学院空间科学与应用研究中心	138	1613	21.0	37.0
2	孙越强	中国科学院空间科学与应用研究中心	48	277	8.0	14.0
3	王月	中国科学院空间科学与应用研究中心	27	119	6.0	10.0