原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
文章介绍了抗单粒子翻转容错处理器NBHARK的结构与实现,采用了改进的优化奇权重列编码方法纠检寄存器文件的瞬时错误.提出了多种有效方法提高整个处理器可靠性,如三模冗余内部临时寄存器,三模冗余时钟,片上EDAC,奇偶校验,强制cache缺失等.该芯片在smic 0.18μm CMOS工艺投片.辐射试验表明,粒子注入(>50,000)引起的单粒子翻转错误均成功纠正.试验采用252Cf辐射源,3.5 u Ci,以及43 MeV.cm2/mg平均LET进行.
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文献信息
篇名 高可靠微处理器结构与实现
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 容错 三模冗余(rMR) 错误纠一检二(SEC-DED) 可靠性
年,卷(期) 2006,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 78-81,85
页数 5页 分类号 TN431
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-7180.2006.07.022
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 高德远 西北工业大学航空微电子设计中心 166 1045 15.0 24.0
2 赵元富 28 104 6.0 8.0
3 彭和平 西北工业大学航空微电子设计中心 7 31 4.0 5.0
4 于立新 17 133 7.0 10.0
5 陈雷 西北工业大学航空微电子设计中心 10 46 5.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
容错
三模冗余(rMR)
错误纠一检二(SEC-DED)
可靠性
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
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