原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
对一款国产抗辐射加固SPARC-V8微处理器进行了高低速两种模式下的单粒子试验。试验获得了单粒子功能中断的阈值和饱和错误截面,并预估了G EO轨道在轨错误率。经过比较分析,国产微处理器与国外同类产品具有相同量级的抗单粒子指标,微处理器在开CACHE的高速模式下抗单粒子能力优于低速模式约2倍。
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文献信息
篇名 微处理器高低速模式下的单粒子功能错误分析
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 单粒子效应 微处理器 单粒子功能错误 单粒子翻转
年,卷(期) 2014,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 18-21
页数 4页 分类号 TP302.8
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 岳素格 28 96 5.0 8.0
2 郑宏超 16 23 2.0 4.0
3 董攀 6 9 2.0 2.0
4 陈莉明 4 2 1.0 1.0
5 陈茂鑫 3 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
单粒子效应
微处理器
单粒子功能错误
单粒子翻转
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
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