基于90nm SOI CMOS工艺的24GHz信号发生器

• 作者: 刘洪刚 夏庆贞 孙兵 常虎东 李东泽
• 来源期刊: 湖南大学学报（自认科学版）
• 关键词: SOI CMOS 功率放大器 信号发生器
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 电气与信息工程
• 页码范围: 96-102
• 页数: 7页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.16339/j.cnki.hdxbzkb.2020.06.012

摘要

SOI CMOS工艺具有高的截止频率和良好的温度稳定性,能够满足微波毫米波雷达收发芯片在多种应用场景下的使用要求.采用90 nm SOI CMOS工艺,设计一种A类无输出阻抗匹配网络Stacked-FET功率放大器,改善了功率放大器的饱和输出功率和可靠性.基于此功率放大器设计并实现了一款24 GHz信号发生器电路.通过电磁场仿真分析研究了Dummy金属对片上螺旋电感性能的影响.经流片加工测试,结果表明,该信号发生器电路能够输出22.2～24.7 GHz的信号,平均输出功率为8.83 dBm,峰值输出功率为10.5 dBm.在偏1 MHz和10 MHz处压控振荡器的相位噪声分别为-91 dBc/Hz和-123 dBc/Hz.芯片面积为1.4 mm×1.4 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙兵	中国科学院微电子研究所高频高压器件与电路研发中心	29	123	6.0	10.0
2	刘洪刚	中国科学院微电子研究所高频高压器件与电路研发中心	10	17	3.0	4.0
3	夏庆贞	中国科学院微电子研究所高频高压器件与电路研发中心	1	0	0.0	0.0
7	李东泽	中国科学院微电子研究所高频高压器件与电路研发中心	1	0	0.0	0.0
11	常虎东	中国科学院微电子研究所高频高压器件与电路研发中心	1	0	0.0	0.0