90nm CMOS工艺SRAM的优化及应用

• 作者: 刘红侠 周清军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 优化 低功耗自我修复SRAM 冗余逻辑 电源开启/关闭状态
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 883-888
• 页数: 6页
• 分类号: TN402
• 字数: 457字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.05.015

摘要

提出了一种优化的SRAM,它的功耗较低而且能够自我修复.为了提高每个晶圆上的SRAM成品率,给SRAM增加冗余逻辑和E-FUSE box从而构成SR SRAM.为了降低功耗,将电源开启/关闭状态及隔离逻辑引入SR SRAM从而构成LPSR SRAM.将优化的LPSR SRAM64K×32应用到SoC中,并对LPSR SRAM64K×32的测试方法进行了讨论.该SoC经90nm CMOS工艺成功流片,芯片面积为5.6mm×5.6mm,功耗为1997mW.测试结果表明:LPSR SRAM64K×32功耗降低了17.301%,每个晶圆上的LPSRSRAM64K×32成晶率提高了13.255%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	周清军	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室	5	20	2.0	4.0