等离子体对90nm工艺MOS器件的损伤

• 作者: 唐瑜 孟志琴 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体损伤 天线结构 通孔 铜大马士革工艺
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 92-95
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2411字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.01.019

摘要

研究了等离子体工艺对90nm铜大马士革工艺器件的损伤.对nMOSFET和pMOSFET分别进行了HCI和NBTI应力实验,实验结果证明天线比仍是反应等离子体损伤重要的标准且通孔天线结构器件的损伤最大,并从通孔刻蚀工艺过程中解释其原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	马晓华	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	40	140	7.0	8.0
3	唐瑜	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	19	3.0	3.0
4	孟志琴	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	19	3.0	3.0