基于40 nm CMOS 工艺的 DAC IP核物理与时序建模

• 作者: 冯燕 柳臻朝 王东 陈岚
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: DAC IP核 物理模型 时序模型
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 56-59,64
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文

摘要

基于40 nm CMOS工艺，分析了DAC模块转化为IP核时所需生成的必要信息，概述了DAC IP核可复用模型的主要特点。对DAC IP核的物理与时序信息进行建模，得到了DAC IP核的物理模型和时序模型，组成了DAC IP核的数据文件交付项。提取得到的IP核模型保护了IP核的设计信息，可满足布局布线、时序分析等基本应用要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈岚	中国科学院微电子研究所	86	361	10.0	14.0
2	王东	中国科学院微电子研究所	83	1115	19.0	31.0
3	冯燕	中国科学院微电子研究所	12	67	3.0	8.0
4	柳臻朝	中国科学院微电子研究所	2	4	2.0	2.0