抗辐射加固CMOS基准设计

• 作者: 刘智 姚和平 杨力宏 梁希
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 辐射加固 设计加固 带隙基准 动态阈值MOS管
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 125-128,133
• 页数: 5页
• 分类号: TN74
• 字数: 1693字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201701.0125

摘要

研究了基于0.5 μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的动态阈值MOS(DTMOS)晶体管的电流-电压特性曲线.与常规CMOS工艺PNP晶体管特性对比,得到了带隙电压基准电路设计准则;采用DTMOS和抗辐射设计加固技术,完成了抗辐射加固CMOS基准设计.辐照试验结果表明,设计的抗辐射加固CMOS基准的抗总剂量能力达到了300 krad(Si).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘智		13	42	3.0	6.0
2	杨力宏		5	5	1.0	2.0
3	姚和平		4	1	1.0	1.0
4	梁希		3	7	1.0	2.0