平面栅SiC MOSFET设计研究

• 作者: 杨成樾 白云 陈宏 韩忠霖
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 平面栅MOSFET 导通电阻 载流子扩展层 JFET注入
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 宽禁带器件应用技术专题
• 页码范围: 4-9
• 页数: 6页
• 分类号: TM56
• 字数: 2580字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.4

摘要

碳化硅MOSFETs开关速率快,耐压高,在逆变器应用领域前景广阔.平面栅MOSFETs因其成熟的工艺是最先被商业化的器件.在平面栅MOSFETs的设计中,降低导通电阻和提高芯片的电流密度是重要的开发目标.基于自主研制的1200 V及1700 V SiC MOSFETs,研究了载流子扩展层技术、JFET注入技术以及元胞结构对器件电学特性的影响.测试结果表明采用方形元胞设计的SiC MOSFET的电流明显大于采用条形元胞设计的电流,JFET注入对阈值电压的影响比载流子扩展层技术更小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	白云	中国科学院微电子研究所	19	37	4.0	6.0
2	陈宏	中国科学院微电子研究所	34	198	9.0	13.0
3	杨成樾	中国科学院微电子研究所	8	16	3.0	4.0
4	韩忠霖	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0