寄生参数对SiC MOSFET栅源极电压影响的研究

• 作者: 巴腾飞 李艳 梁美
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC MOSFET 寄生参数 开关模型 栅源极电压
• 年，卷（期）: 2016,（13）
• 所属期刊栏目: 电力电子与电力传动
• 页码范围: 64-73
• 页数: 10页
• 分类号: TM85
• 字数: 5279字
• 语种: 中文

摘要

为分析寄生参数对开关过程中碳化硅(SiC) MOSFET栅源极电压的影响,首先建立了基于同步Buck变换器的SiC MOSFET开通和关断过程的数学模型;然后通过仿真和实验结果对比,验证了寄生参数带来的影响;最后分析了开关过程中各寄生参数对SiC MOSFET栅源极电压的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁美	北京交通大学电气工程学院	7	65	2.0	7.0
2	李艳	北京交通大学电气工程学院	53	250	9.0	14.0
3	巴腾飞	北京交通大学电气工程学院	2	0	0.0	0.0