考虑变温度影响的SiC MOSFET建模与分析

• 作者: 廖兴林 李辉 肖洪伟 谢翔杰 钟懿 黄樟坚
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅MOSFET 温度参数 等效电路 PSpice建模
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 电机驱动
• 页码范围: 185-192
• 页数: 8页
• 分类号: TM13
• 字数: 4027字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2019.4.185

摘要

为了准确反映SiC MOSFET在不同温度下的电气特性,对影响SiC MOSFET电气特性的关键参数进行了分析,提出了一种SiC MOSFET等效电路模型.首先,根据SiC MOSFET阈值电压和跨导随温度变化的规律,采用函数拟合的温控电源模型对SiC MOSFET的阈值电压和漏极电流进行补偿;其次,考虑寄生电容与极间电压的关系,采用电容子电路和可变电容模型对SiC MOSFET的寄生电容进行等效模拟,根据SiC MOSFET体二极管对其静、动态特性的影响,利用独立二极管模型描述体二极管特性,进而建立SiC MOSFET的等效电路模型.最后,在不同温度条件下,对该模型进行了仿真并与实验测试结果进行了对比.结果表明所建模型较为准确地描述SiC MOSFET在较宽温度范围内的静、动态特性,验证了模型的有效性.