SiC MOSFET静态性能及参数温度依赖性的实验分析及与Si IGBT的对比

• 作者: 冉立 刘清阳 曾正 胡博容 马青
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiCMOSFET IGBT 静态性能 寄生参数 结温 状态监测
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 电力电子功率器件及系统可靠性专辑
• 页码范围: 67-79
• 页数: 13页
• 分类号: TM46
• 字数: 6649字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2016.6.67

摘要

碳化硅SiC(silicon carbide)MOSFET作为新型的电力电子器件,具有不同于Si IGBT的电热特性,且其静态特性在宽温度范围内变化特性并不明确.以SiC MOSFET为研究对象,从器件的工作原理入手,结合Si IGBT对比,分析了其静态特性及寄生参数受温度的影响,并在-55℃至165℃准确测量了包括阈值电压、导通电阻、泄漏电流、输出特性及寄生参数在内的多个参数,实验结果符合理论分析.根据实验结果分析了各项性能参数的温度敏感性,结果表明:SiC MOSFET静态性能及参数与温度具有极强的相关性;与Si IGBT相比,温度依赖性更为明显,并且能够为器件结温测量及SiC MOSFET电力电子系统状态监测提供理论依据与实验基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾正	重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室	22	78	6.0	8.0
2	马青	重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室	5	80	3.0	5.0
3	冉立	重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室	18	151	7.0	12.0
4	胡博容	重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室	8	14	2.0	3.0
5	刘清阳	重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室	1	11	1.0	1.0