MOSFET和IGBT的对比分析

• 作者: 李慧芬 柳超 董颖辉
• 来源期刊: 计算机与数字工程
• 学科: 工学
• 关键词: 结温 功耗 金属氧化物场效应晶体管 绝缘双栅极型动率管
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 系统结构
• 页码范围: 1772-1773,1849
• 页数: 3页
• 分类号: TN821+.6
• 字数: 1924字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-9722.2013.11.018

摘要

目前,开关管MOSFET和IGBT是固态发射机常用的功率放大器,但是选择MOSFET还是IGBT,还是要根据实际需要.论文对额定功率值相同的MOSFET和IGBT进行对比分析,不仅从器件的构造与特征、电性能参数、温度效应等方面考虑,而且介绍了一种计算总功耗、可使用开关频率和结温的方法.计算结果表明:IGBT的总功耗略小于MOSFET,IGBT优于MOSFET.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柳超	海军工程大学电子工程学院通信工程系	55	203	8.0	11.0
2	董颖辉	海军工程大学电子工程学院通信工程系	33	82	5.0	6.0
3	李慧芬	海军工程大学电子工程学院通信工程系	2	8	1.0	2.0