1200 V碳化硅MOSFET与硅IGBT器件特性对比性研究

• 作者: 宁圃奇 张栋 李磊 温旭辉
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 输出特性 漏电流 双脉冲测试 Buck电路
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 宽禁带功率电子器件及其应用专辑
• 页码范围: 32-38,58
• 页数: 8页
• 分类号: TN386
• 字数: 3734字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.32

摘要

搭建了输出特性测试电路、漏电流测试电路、双脉冲测试电路和Buck 电路，对1200 V SiC MOSFET和Si IGBT的输出特性、漏电流、开关特性和器件损耗进行了对比研究，分析了SiC MOSFET 的主要优缺点。分析结果表明，SiC MOSFET在高温条件下依然拥有稳定的阻断能力；在同样的工作条件下， SiC MOSFET 损耗更小，适合在高频率、大功率场合下使用；SiC MOSFET的跨导低，导通电阻大，所以门极驱动电压需要比较大的摆幅（-5/+20 V）；由于开关速度很快，SiC MOSFET对线路杂散参数更加敏感。