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电源学报期刊
出版文献量（篇）
1407
总下载数（次）
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总被引数（次）
6404

电源学报

Journal of power supply
曾用名： 电源技术学报(2002-2010)

CSCDJST北大核心

影响因子 0.6232
主办单位：
中国电源学会国家海洋技术中心
ISSN：
2095-2805
CN：
12-1420/TM
出版周期：
双月刊
邮编：
300110
地址：
天津市南开区黄河道467号大通大厦16层
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1407
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  • 1. 第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战
    作者： 何亮 刘扬
    刊名： 电源学报
    发表期刊： 2016年4期
    页码:  1-13
    摘要： 氮化镓（GaN）材料具有优异的物理特性，非常适合于制作高温、高速和大功率电子器件，具有十分广阔的市场前景。 Si衬底上GaN基功率开关器件是目前的主流技术路线，其中结型栅结构（p型栅）和共源...
  • 2. 选择区域外延槽栅结构GaN常关型MOSFET的研究
    作者： 何亮 刘扬 杨帆 沈震 郑越
    刊名： 电源学报
    发表期刊： 2016年4期
    页码:  14-20
    摘要： 高性能GaN常关型功率开关器件的实现是目前研究的热点。槽栅结构GaN常关型MOSFET 以其栅压摆幅冗余度大、栅极漏电流小等优势受到广泛关注。制备槽栅结构GaN 常关型MOSFET 需要的刻...
  • 3. 适用于电动汽车的SiC MOSFET PSpice仿真模型研究
    作者： 周哲 徐艳明 李虹 赵波 郑琼林
    刊名： 电源学报
    发表期刊： 2016年4期
    页码:  21-27
    摘要： 为了基于PSpice电路对电动汽车DC/DC变换器中的碳化硅（SiC）MOSFET的工作特性进行实时准确地仿真，针对SiC MOSFET提出了一种新型的电压控制电流源型VCCST（volta...
  • 4. 改进型碳化硅MOSFETs Spice电路模型
    作者： 周郁明 李勇杰 陈伟伟
    刊名： 电源学报
    发表期刊： 2016年4期
    页码:  28-31
    摘要： 在高温、高压和高频的电力电子应用中，碳化硅（SiC) MOSFETs展现出了巨大的潜力。为了在宽温度范围内更准确地反映SiC MOSFETs 的转移特性，提出了一种简化的含温控电源的SiC ...
  • 5. 1200 V碳化硅MOSFET与硅IGBT器件特性对比性研究
    作者： 宁圃奇 张栋 李磊 温旭辉
    刊名： 电源学报
    发表期刊： 2016年4期
    页码:  32-38,58
    摘要： 搭建了输出特性测试电路、漏电流测试电路、双脉冲测试电路和Buck 电路，对1200 V SiC MOSFET和Si IGBT的输出特性、漏电流、开关特性和器件损耗进行了对比研究，分析了SiC...
  • 6. SiC MOSFET特性及其应用的关键技术分析
    作者： 张斌锋 张曌 许津铭 谢少军 钱强
    刊名： 电源学报
    发表期刊： 2016年4期
    页码:  39-51
    摘要： SiC MOSFET（silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）以其优越的特性受到国内外学者的广泛关...
  • 7. 基于碳化硅功率器件的宽输入电压双管正激式直流电源研究
    作者： 沙龙 王长庚 谢敬仁
    刊名： 电源学报
    发表期刊： 2016年4期
    页码:  52-58
    摘要： 提出了一种高输出功率、宽输入电压范围、良好输出动态特性的太阳能并网逆变器供电电源。该电源采用碳化硅SiC双管正激电路拓扑，输出功率为1000 W ，通过高效的PWM 调制控制，可以保证在电池...
  • 8. 基于新型1200 V碳化硅（SiC）MOSFET的三相双向逆变器的研究
    作者： 刘学超 叶春显 黄建立
    刊名： 电源学报
    发表期刊： 2016年4期
    页码:  59-65,81
    摘要： 研究了基于新一代宽禁带1200 V 碳化硅（SiC）MOSFET 三相双向逆变器，由于SiC MOSFET 的高耐压、低损耗、高开关频率特性，逆变电路的拓扑结构得到简化，并提高了功率密度和可...
  • 9. SiC MOSFET在航空静止变流器中的应用研究
    作者： 张瞾 曹鸿 葛小伟 谢少军
    刊名： 电源学报
    发表期刊： 2016年4期
    页码:  66-72
    摘要： 航空静止变流器实现机载直流电到交流电的转换，对功率密度、效率、环境适应性、可靠性和电气性能等有较高的要求。碳化硅（SiC）半导体器件的开关速度快、高温特性好，在航空静止变流器中有很好的应用前...
  • 10. 基于碳化硅MOSFET的99.2%高效率功率因数校正器
    作者： 严阳 吴新科 盛况
    刊名： 电源学报
    发表期刊： 2016年4期
    页码:  73-81
    摘要： 半桥功率因数校正PFC（power factor correction）拓扑由于其具有较少的电流回路器件数，因而导通损耗小、效率高。但是，该拓扑中开关器件电压应力大，因此如果选用高压的IGB...
  • 11. 基于GaN FETs的高频半桥谐振变换器分析与设计
    作者： 刘宾 卞晴 张相军 徐殿国 王卫 王懿杰 管乐诗
    刊名： 电源学报
    发表期刊： 2016年4期
    页码:  82-89
    摘要： 随着Si材料半导体器件性能逐步达到瓶颈，宽禁带半导体器件（GaN、SiC）在诸多方面展现出了很好的性能，如低导通阻抗，小输入、输出电容等，这些特性使得GaN 和SiC 器件能够应用在更高的开...
  • 12. 基于GaN器件Buck电路死区功耗分析与优化
    作者： 周琦 张波 施宜军 胡官昊 陈万军
    刊名： 电源学报
    发表期刊： 2016年4期
    页码:  90-95,127
    摘要： 氮化镓功率器件以其优异的高速、高效特性而有望在电源转换领域取得广泛应用。在Buck开关电源应用中，系统采用GaN HEMT替换传统Si 功率器件后，系统死区损耗成为阻碍系统效率提升的一个重要...
  • 13. 基于GaN器件LLC谐振变换器的平面变压器优化设计
    作者： 宇文甸 杨旭 王康平 谭琳琳
    刊名： 电源学报
    发表期刊： 2016年4期
    页码:  96-102
    摘要： 现代开关电源的发展呈现高效率和高功率密度的趋势。基于GaN器件LLC谐振变换器，采用同步整流技术，通过平面变压器的设计和结构优化大大减小了变换器的高度和体积，同时也减少损耗，提高了系统的功率...
  • 14. 基于封装集成技术的高功率密度碳化硅单相逆变器
    作者： 康勇 方建明 李宇雄 陈材 黄志召
    刊名： 电源学报
    发表期刊： 2016年4期
    页码:  103-111
    摘要： 针对目前家用光伏系统、电动汽车（EV）和航空航天等领域中对单相逆变器的高功率密度需求，首先提出了一种基于新型碳化硅（SiC）功率模块的高功率密度单相集成逆变器。该单相逆变器采用直流侧并联Bo...
  • 15. 共源极电感对SiC MOSFET开关损耗影响的研究
    作者： 吴新科 张军明 盛况 董泽政
    刊名： 电源学报
    发表期刊： 2016年4期
    页码:  112-118
    摘要： 共源极电感同时存在于功率MOSFET的功率回路和门极驱动回路中，影响器件的开关特性和开关损耗。共源极电感的影响将随着器件开关速度和开关频率的提高而显得更为严重。碳化硅（SiC）MOSFET相...
  • 16. 宽禁带器件在电动汽车中的研究和应用
    作者： 严仰光 付大丰 徐华娟 秦海鸿 董耀文
    刊名： 电源学报
    发表期刊： 2016年4期
    页码:  119-127
    摘要： 硅基电力电子器件经过长期的发展，其性能已经逼近其材料极限，很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能，成为电力电子器件新的...
  • 17. 耐高温变换器研究进展及综述
    作者： 严仰光 付大丰 徐华娟 秦海鸿 董耀文 谢昊天
    刊名： 电源学报
    发表期刊： 2016年4期
    页码:  128-138
    摘要： 耐高温变换器在多电飞机、电动汽车和石油钻井等恶劣环境中具有十分重要的应用价值。碳化硅功率器件具有高结温工作能力、较低损耗以及良好的温度稳定性，有利于实现耐高温变换器。首先简要阐述了耐高温变换...
  • 18. 高压SiC器件在FREEDM系统中的应用
    作者： 倪喜军
    刊名： 电源学报
    发表期刊： 2016年4期
    页码:  139-146
    摘要： 碳化硅SiC（silicon carbide）是目前最为成熟的宽禁带半导体材料之一，在高压、高温、高频等领域，碳化硅器件的研究和应用已成为当前的研究热点。针对碳化硅器件目前的生产使用状况，简...
  • 19. 双馈风电机组并网次同步振荡研究
    作者： 禹华军
    刊名： 电源学报
    发表期刊： 2016年4期
    页码:  147-151
    摘要： 首先基于次同步振荡理论，研究了双馈风电机组在弱电网并网情况下的机组脱网问题。研究发现，输电线路的串补投入和变流器控制策略对低频振荡敏感的因素导致了次同步振荡的发生；然后提出一种在网侧变流器中...
  • 20. 《电源学报》2015年度优秀论文获奖名单
    作者：
    刊名： 电源学报
    发表期刊： 2016年4期
    页码:  152-152
    摘要：
  • 21. 宽禁带功率电子器件及其应用专辑特邀主编述评
    作者： 吴新科 谢少军
    刊名： 电源学报
    发表期刊： 2016年4期
    页码:  -3--2
    摘要：

电源学报基本信息

刊名 电源学报 主编 韩家新
曾用名 电源技术学报(2002-2010)
主办单位 中国电源学会国家海洋技术中心  主管单位 国家海洋局
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 2095-2805 CN 12-1420/TM
邮编 300110 电子邮箱 dianyuan@126.com
电话 022-27686327 网址 www.jops.cn
地址 天津市南开区黄河道467号大通大厦16层

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